Fiche individuelle
Loris PACE | ![]() | |
Titre | Doctorant | |
Equipe | Electronique de Puissance | |
Adresse | Université Lille 1 Batiment P2 59655 VILLENEUVE-D'ASCQ | |
Téléphone | +33 (0)3-XX-XX-XX-XX | |
loris.pace@univ-lille.fr | ||
Observation / Thématique de recherche | modélisation de composants GaN pour convertisseurs statiques hautes fréquences | |
Publications |
ACT Conférence internationale avec acte |
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[1] S-parameters characterization of GaN HEMT power transistors for high frequency modeling PCIM 2018, Nuremberg, Germany, 06/2018, Abstract PACE Loris, DEFRANCE Nicolas, VIDET Arnaud, IDIR Nadir, DEJAEGER Jean-Claude |
Gallium Nitride (GaN) power devices developed these recent years are ideal candidates for
high frequency power conversion, leading to a reduction of size, cost and weight of power
converters. The design of these converters is based on simulations which require developing
accurate models over a wide frequency range. This paper presents a new characterization
method of GaN power transistors based on the extraction of devices small-signal parameters
up to the gigahertz range using 2-port S-parameters measurements and dedicated
characterization fixtures on printed circuit boards (PCB). |
[2] Impedance Measurement in Operating Conditions for PLC Applications 22nd IEEE Workshop on Signal and Power Integrity (SPI 2018), 22-25 May 2018, Brest, France, 05/2018, URL, Abstract MAHAMANE SANI SABO Oumarou, PACE Loris, LE BUNETEL Jean-Charles, DESCAMPS Anne-Sophie, BATARD Christophe, IDIR Nadir |
The influence of the electromagnetic environment of the indoor power line grid (Houses’ Power Grid) is increasingly important on the Power Line Communication transmission. The household equipment operating changes considerably the network impedance. Several procedures exist to evaluate the network impedance. Two impedance measurement techniques seem to be the most adequate and allow to characterize loads under their operating conditions. The first one uses current injection and reception probes and the second one uses capacitive coupling. With a proper pre-measurement calibration process, the proposed methods allow to measure the evolution of the impedance versus frequency of the active loads (TV screen, Fluorescent lamp…). This study deals with the analyses of these two methods in order to evaluate their advantages and disadvantages. The measurements are carried in narrowband and broadband in the frequency range of 10 kHz to 100 MHz. |
ACN Conférence nationale avec acte |
[1] Méthode de caractérisation des transistors GaN pour la conception des convertisseurs statiques hautes fréquences Symposium de Génie Electrique (SGE) 2018, Nancy, France, 07/2018, Abstract PACE Loris, DEFRANCE Nicolas, VIDET Arnaud, IDIR Nadir, DEJAEGER Jean-Claude |
Les composants de puissance à base de GaN présentent un fort potentiel pour le développement de convertisseurs statiques fonctionnant à hautes fréquences. Les principales propriétés de cette filière technologique conduisent à une réduction de la taille, du poids et du volume des convertisseurs d’énergie. La conception de ces convertisseurs hautes fréquences (HF) repose sur des simulations nécessitant des modèles de composants actifs très précis. Afin d’obtenir ces modèles, une phase de caractérisation permettant d’obtenir les différents paramètres du modèle est nécessaire. Ce travail présente une méthode de caractérisation des transistors de puissance GaN basée sur la mesure de paramètres S à l’aide de dispositifs d’adaptation sur circuit imprimé ainsi que des mesures en régime pulsé. |
[2] Méthode de caractérisation des transistors de puissance GaN pour la conception des convertisseurs statiques hautes fréquences Journées Nationales du Réseau Doctoral en Micro-nanoélectronique, Strasbourg, France, 11/2017, Abstract PACE Loris, DEFRANCE Nicolas, VIDET Arnaud, IDIR Nadir, DEJAEGER Jean-Claude |
Ce travail de thèse s’inscrit dans le cadre de la collaboration entre l’IEMN et le L2EP sur la thématique de la
montée en fréquence des convertisseurs statiques pour l’intégration de puissance. Les transistors de
puissance à base de Nitrure de Gallium (GaN) offrent la possibilité de commuter de fortes puissances (au-
delà d’1 kW) à hautes fréquences (au-delà d’1 MHz), permettant ainsi de réduire le volume des composants
passifs des convertisseurs d’énergie. La conception des convertisseurs hautes fréquences par simulation
nécessite de disposer de modèles de composants de puissance précis et valides sur une large plage de
fréquence. Les techniques classiques de caractérisation et modélisation utilisées en électronique de
puissance sont limitées en bande de fréquence et ne permettent pas de modéliser de façon précise tous les
effets intrinsèques aux composants en hautes fréquences. L’objectif de ce travail est d’adapter les
techniques utilisées dans le domaine de la caractérisation hyperfréquences pour la modélisation d’un
transistor de puissance GaN. Dans le cadre de cette étude, le transistor GS66502B 650V/7.5A de type GaN
HEMT sera utilisé pour la mise en place de notre méthode. La plage de fréquence visée pour la modélisation
est 1 MHz – 1 GHz. |
INV Conférence invité |
[1] Novel GaN-HEMT modelling method based on S-parameters characterisation and its implementation in Virtual Prototyping software EPSRC Centre for Power Electronics (CPE) Annual Conference, UK, 07/2018, Abstract LI Ke, PACE Loris, VIDET Arnaud, IDIR Nadir, EVANS Paul, JOHNSON Mark, DEFRANCE Nicolas, DEJAEGER Jean-Claude |
It is proposed a novel GaN-HEMT modelling method by using S-parameters to characterise device inter-electrode capacitances and terminal contact resistances.Afterwards, the model is implemented into virtual prototyping software. By co-simulation with electromagnetic models generated of the VP software, device switching waveforms are then obtained and they are compared with commercial ADS software and experimental measurement. |
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